Toshiba के अनुकूलित पैकेज डिज़ाइन नए फोटोरिले में पैरासिटिक कैपेसिटेंस और इंडक्शन कम करते हैं। यह इंसर्शन लॉस को कम करता है और हाई-फ्रीक्वेंसी सिग्नल्स की ट्रांसमिशन विशेषता को 20GHz (टाइप)[2] तक बेहतर बनाता है, जो Toshiba के वर्तमान उत्पाद, TLP3475S की तुलना में लगभग 1.5 गुना कम [2] है।
TLP3475W एक छोटे, पतले WSON4 पैकेज का प्रयोग करता है जो केवल 0.8mm (typ.) मोटा है, व इसे बेहतर हाई-फ्रीक्वेंसी सिग्नल्स ट्रांसमिशन विशेषताओं का एहसास करने के लिए उद्योग में सबसे छोटा[3] फोटोरिले बनाता है। यह ऊंचाई में Toshiba केअल्ट्रा-स्मॉल S-VSON4T पैकेज की तुलना में 40% कम है, जिससे एक ही सर्किट बोर्ड पर अधिक उत्पादों को लगाना सम्भव हो पाता है और बेहतर मापदक्षता के लिए योगदान मिलेगा।
Toshiba उच्च गति और अधिक कार्यक्षमता प्रदान करने वाले सेमीकंडक्टर टेस्टर्स का समर्थन करने के लिए अपने उत्पाद शृंखला का विस्तार करना जारी रखेगी।
उपयोग
- सेमीकंडक्टर टेस्टर्स (हाई-स्पीड मेमोरी टेस्टर, हाई-स्पीड लॉजिक टेस्टर्स, आदि)
- जांच कार्ड
- मापक उपकरण
विशेषताएँ
- उद्योग का सबसे छोटा[3] WSON4 पैकेज: 1.45mm×2.0mm (typ.), t=0.8mm (typ.)
- हाई-फ्रीक्वेंसी सिग्नल्स को पारित करने में सुधार करना: f=20GHz (typ.) @Insertion loss(S21) = -3dB
- सामान्य रूप से ओपन फंक्शन (1-Form-A)
टिप्पणियाँ:
[1] जब फ्रीक्वेंसी बैंड कई सौ मेगाहर्ट्ज़ से लेकर कई दसियों गीगाहर्ट्ज़ तक की सीमा में हो।
[2] जब सिग्नल आउटपुट MOSFET से गुजरता है तो पावर क्षीणन अनुपात (इंसर्शन लॉस) का फ्रीक्वेंसी बैंड 3dB होता है।
[3] फोटोरिले के लिए। अक्टूबर 2023 तक, Toshiba सर्वेक्षण।
मुख्य विशिष्टताएँ
| (जब तक निर्दिष्ट न किया जाये, Ta = 25°C) | ||||
| पार्ट नंबर | TLP3475W | |||
| पैकेज | नाम | WSON4 | ||
| साइज़ (mm) | 1.45×2.0 (typ.), t=0.8 (typ.) | |||
| समग्र अधिकतम रेटिंग | ऑफ़-स्टेटआउटपुट टर्मिनल वोल्टेज VOFF (V) |
60 | ||
| ऑन-स्टेट करंट ION (A) | 0.4 | |||
| ऑन-स्टेट करंट (स्पंदित) IONP (A) | 1.2 | |||
| परिचालन तापमान Topr (°C) | -40 से 110 | |||
| कपल्ड विद्युत विशेषताएँ | ट्रिगर LED करंट IFT (mA) | अधि. | 3.0 | |
| ऑन-स्टेट प्रतिरोध RON (Ω) | typ. | 1.1 | ||
| अधि. | 1.5 | |||
| विद्युत विशेषताएँ | आउटपुट कैपेसिटेंस COFF (pF) | अधि, | 20 | |
| स्विचिंग विशेषताएँ | चालू करने का समय tON (ms) | @RL = 200Ω, VDD = 20V, IF = 5mA |
अधि. | 0.25 |
| बंद करने का समय tOFF (ms) | 0.2 | |||
| आइसोलेशन विशेषताएँ | आइसोलेशन वोल्टेज BVS (Vrms) | न्यून. | 300 | |
| नमूना जाँच एवं उपलब्धता | Buy Online | |||
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation का परिचय
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, विकसित सेमीकंडक्टर और स्टोरेज समाधानों का एक प्रमुख आपूर्तिकर्ता, ग्राहकों और व्यावसायिक भागीदारों को उत्कृष्ट डिस्क्रीट सेमीकंडक्टर, सिस्टम LSI और HDD उत्पादों की पेशकश करने के लिए अपने आधी सदी से अधिक के अनुभव और नवाचार का प्रयोग करता है।
दुनिया भर में कंपनी के 21,500 कर्मचारी उत्पाद मूल्य को अधिकतम करने और मूल्य एवं नए बाजारों के सह-निर्माण में ग्राहकों के साथ घनिष्ठ सहयोग को बढ़ावा देने के दृढ़संकल्प को साझा करते हैं। वार्षिक बिक्री 800 बिलियन येन (US$6.1 बिलियन) तक पहुंचने के साथ, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation हर जगह लोगों के लिए बेहतर भविष्य बनाने और योगदान देने के लिए तत्पर है।
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