Thursday, March 26, 2026

Toshiba ने 100V एन-चैनल पावर MOSFET जारी किया जो पावर सप्लाई सर्किट के लघुकरण का समर्थन करता है

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Kawasaki, Japan:  

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ने Toshiba की नवीनतम पीढ़ी की प्रक्रिया, U-MOS X-H के साथ निर्मित 100V N-चैनल पावर एमओएसएफईटी “TPH3R10AQM” लॉन्च किया है। उत्पाद डेटा केंद्रों और संचार बेस स्टेशनों के लिए उपयोग किए जाने वाले औद्योगिक उपकरणों की बिजली लाइनों पर स्विचिंग सर्किट और हॉट स्वैप सर्किट[1] जैसे अनुप्रयोगों को लक्षित करता है। शिपमेंट आज से शुरू हो रही है।

 

TPH3R10AQM में उद्योग-अग्रणी[2] 3.1mΩ अधिकतम ड्रेन-सोर्स ऑन-रेजिस्टेंस है, जो Toshiba के 100V उत्पाद, “TPH3R70APL” से 16%[2] कम है, जो पिछली पीढ़ी की प्रक्रिया का उपयोग करता है। उसी तुलना से, TPH3R10AQM ने अपने सुरक्षित संचालन क्षेत्र को 76%[3] तक बढ़ा दिया है जिससे यह रैखिक मोड संचालन के लिए उपयुक्त हो गया है। ऑन-रेजिस्टेंस को कम करने और सुरक्षित ऑपरेटिंग क्षेत्र में लीनियर ऑपरेटिंग रेंज का विस्तार करने से समानांतर कनेक्शन की संख्या कम हो जाती है। इसके अलावा, इसकी गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज रेंज 2.5V से 3.5V है, जिससे गेट वोल्टेज शोर के कारण इसमें खराबी की संभावना कम हो जाती है।

नया उत्पाद अत्यधिक फ़ुटप्रिंट संगत SOP एडवांस (N) पैकेज का इस्तेमाल करता है।

Toshiba अपनी पावर MOSFET की लाइन-अप का विस्तार करना जारी रखेगी जो नुकसान को कम करके पावर सप्लाई की दक्षता बढ़ा सकती है, और उपकरण की पावर खपत को कम करने में मदद कर सकती है।

अनुप्रयोग

 
  • डेटा केंद्रों और संचार बेस स्टेशनों जैसे संचार उपकरणों के लिए पावर सप्लाई
  • स्विचिंग पावर सप्लाई (उच्च दक्षता DC-DC कनवर्टर, आदि)

 
विशेषताएँ

 
  • उद्योग-अग्रणी[2] उत्कृष्ट कम ऑन-रेजिस्टेंस की विशेषता : RDS(ON)=3.1mΩ (max) (VGS=10V)
  • व्यापक सुरक्षित संचालन क्षेत्र
  • उच्च चैनल तापमान रेटिंग: Tch (max)=175°C

 
नोट्स:
[1] उपकरण चालू रहने के दौरान सिस्टम को बंद किए बिना कंपोनेंट्स को सिस्टम से जोड़ने और डिस्कनेक्ट करने के लिए सर्किट।
[2] जून 2023 तक Toshiba सर्वेक्षण।
[3] पल्स चौड़ाई: tw=10ms, VDS=48V
 

मुख्य विशिष्टताएँ 
(जब तक कि निर्दिष्ट न किया जाये, Ta=25°C)
भाग संख्या TPH3R10AQM
पूर्ण अधिकतम रेटिंग ड्रेन-सोर्स वोल्टेज VDSS (V) 100
ड्रेन करंट (DC) ID (A) Tc=25°C 120
चैनल तापमान Tch (°C) 175
इलेक्ट्रिकल विशेषताएं ड्रेन-सोर्स ऑन-रेजिस्टेंस RDS(ON)
अधिकतम (mΩ)
VGS=10V 3.1
VGS=6V 6.0
कुल गेट चार्ज (गेट-सोर्स प्लस गेट-ड्रेन)
Qg typ. (nC)
83
गेट स्विच चार्ज Qsw typ. (nC) 32
आउटपुट चार्ज Qoss typ. (nC) 88
इनपुट कैपेसिटेंस Ciss typ. (pF) 5180
पैकेज नाम SOP Advance(N)
आकार प्रकार. (mm) 4.9×6.1
नमूना जाँच एवं उपलब्धता ऑनलाइन ख़रीदें

 

नए उत्पाद के बारे में अधिक जानकारी के लिए नीचे दिए गए लिंक को फॉलो करें।
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Toshiba के MOSFET पर अधिक जानकारी के लिए नीचे दिए गए लिंक को फॉलो करें।
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TPH3R10AQM
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* कंपनी के नाम, उत्पाद के नाम और सेवा के नाम उनकी संबंधित कंपनियों के ट्रेडमार्क हो सकते हैं।
* उत्पाद की कीमतों और विशिष्टताओं, सेवाओं की सामग्री और संपर्क जानकारी सहित इस दस्तावेज़ में जानकारी घोषणा की तारीख तक चालू है, लेकिन बिना किसी पूर्व सूचना के बदलाव के अधीन है।

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation के बारे में

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, उन्नत सेमीकंडक्टर और स्टोरेज समाधानों का एक प्रमुख सप्लायर, ग्राहकों और व्यावसायिक भागीदारों को उत्कृष्ट असतत सेमीकंडक्टर, सिस्टम LSI और HDD उत्पादों की पेशकश करने के लिए आधी सदी से अधिक के अनुभव और नवाचार का उपयोग करती है।
दुनिया भर में कंपनी के 21,500 कर्मचारी उत्पाद मूल्य को अधिकतम करने और मूल्य और नए बाजारों के सह-निर्माण में ग्राहकों के साथ घनिष्ठ सहयोग को बढ़ावा देने के दृढ़ संकल्प को साझा करते हैं। वार्षिक बिक्री 800 बिलियन येन (US$6.1 बिलियन) तक पहुंचने के साथ, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation हर जगह लोगों के लिए बेहतर भविष्य बनाने और योगदान देने के लिए तत्पर है।
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html पर और अधिक जानकारी प्राप्त करें

घोषणा (अस्वीकरण) : इस घोषणा की मूलस्रोत भाषा का यह आधिकाररक, अधिकृत रूपांतर है। अनुवाि शसफा सुवविा के शलए मुहैया कराए जाते हैं और उनका स्रोत भाषा के आलेख से संिभा शलया जा सकता है और यह आलेख का एकमात्र रूप है प्जसका कानूनी प्रभाव हो सकता है।

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स्रोत: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

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