Thursday, March 26, 2026

Toshiba ने औद्योगिक उपकरण के लिए स्विचिंग लॉस में कमी लाने वाले चार-पिन पैकेज युक्त तीसरी पीढ़ी के SiC MOSFETs जारी किए

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Kawasaki, Japan:  Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) ने औद्योगिक उपकरण के लिए कंपनी के नवीनतम[1] तीसरी पीढ़ी के SiC MOSFETs चिप के साथ स्विचिंग लॉस में कमी लाने वाले चार-पिन TO-247-4L(X) पैकेज का उपयोग करने वाली सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFETs, “TWxxxZxxxC सीरीज” लांच की है दस उत्पादों, 650V रेटिंग के साथ पांच और 1200V रेटिंग के साथ पांच, की वॉल्यूम शिपमेंटे आज आरम्भ हो रही हैं।

नए उत्पाद चार-पिन TO-247-4L(X) पैकेज का उपयोग करने वाले Toshiba के SiC MOSFET शृंखला में प्रथम हैं, जिनके लिए गेट ड्राइव के लिए सिग्नल सोर्स टर्मिनल के Kelvin कनैक्शन किए जा सकते हैं उच्च-गति स्विचिंग प्रदर्शन में सुधार करते हुए यह पैकेज दिए गए पैकेज के भीतर स्रोत वायर इंडक्टैंस के प्रभाव को कम कर सकता है। तीन-पिन TO-247 पैकेज में Toshiba के वर्तमान उत्पाद TW045N120C की तुलना में, नए TW045Z120C के लिए टर्न-ऑन लॉस लगभग 40% और टर्न-ऑफ लॉस लगभग 34%[2] कम होता है। यह उपकरण की उर्जा हृास में कमी लाने में सहायता करता है।

SiC MOSFETs का उपयोग करने वाले थ्री-फेस इन्वर्टर के लिए एक संदर्भ डिजाइन ऑनलाइन प्रकाशित किया गया है

बाज़ार के रुझानों को पूरा करने और उपकरण दक्षता में सुधार और बिजली क्षमता बढ़ाने में योगदान करने के लिए Toshiba अपनी शृंखला में विस्तार करना चालू रखेगा।

नोट :
[1] अगस्त 2023 तक
[2] अगस्त 2023 तक, Toshiba द्वारा नापी गई वैल्यु (परीक्षण स्थिति: VDD=800V, VGG=+18V/0V, ID=20A, RG=4.7Ω, L=100μH, Ta=25°C)

एप्लिकेशन
 

  • स्विचिंग पावर सप्लाई (सर्वर, डेटा केंद्र, संचार उपकरण, इत्यादि)
  • EV चार्जिंग स्टेशन
  • फोटोवोल्टिक इंवर्टर
  • अबाधित पावर सप्लाई (UPS)

 
विशेषताएं
 

  • चार-पिन TO-247-4L(X) पैकेज:
  • गेट ड्राइव के लिए सिग्नल सोर्स टर्मिनल के Kelvin कनैक्शन द्वारा स्विचिंग लॉस कम किया जाता है
  • तीसरी पीढ़ी के SiC MOSFETs
  • लो ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस x गेट-ड्रेन चार्ज
  • लो डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज: VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V)

 
मुख्य विशिष्टताएँ
 

      (Ta=25°C यदि अन्यथा निर्दिष्ट नहीं किया गया)
पार्ट संख्या पैकेज एब्सोल्युट अधिक्तम रेटिंग इलैक्ट्रिकल विशेषताएं सैम्पल चैक
एवं
उपलब्धता
ड्रेन-सोर्स वोल्टेज
VDSS
(V)
गेट-
सोर्स वोल्टेज
VGSS
(V)
ड्रेन
करंट
(DC)
ID
(A)
ड्रेन-
सोर्स
ऑन-रेसिस्टेंस
RDS(ON)
(mΩ)
गेट
थ्रेशोल्ड
वोल्टेज
Vth
(V)
टोटल
गेट
चार्ज
Qg
(nC)
गेट-
ड्रेन
चार्ज
Qgd
(nC)
इनपुट
कैपेसिटेंस
Ciss
(pF)
डायोड फॉरवार्ड
वोल्टेज
VDSF
(V)
Tc=25°C VGS=18V VDS=10V VGS=18V VGS=18V typ. टेस्ट
कंडिशन
VDS
(V)
VGS=-5V
typ. typ. typ. typ.
TW015Z120C TO-247-4L(X) 1200 -10 से 25 100 15 3.0 से 5.0 158 23 6000 800 -1.35 ऑनलाइन खरीदें
TW030Z120C 60 30 82 13 2925 ऑनलाइन खरीदें
TW045Z120C 40 45 57 8.9 1969 ऑनलाइन खरीदें
TW060Z120C 36 60 46 7.8 1530 ऑनलाइन खरीदें
TW140Z120C 20 140 24 4.2 691 ऑनलाइन खरीदें
TW015Z65C 650 100 15 128 19 4850 400 ऑनलाइन खरीदें
TW027Z65C 58 27 65 10 2288 ऑनलाइन खरीदें
TW048Z65C 40 48 41 6.2 1362 ऑनलाइन खरीदें
TW083Z65C 30 83 28 3.9 873 ऑनलाइन खरीदें
TW107Z65C 20 107 21 2.3 600 ऑनलाइन खरीदें

 
नए उत्पाद पर अधिक जानकारी के लिए निम्न लिंकों का अनुसरण करें।
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
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Toshiba के MOSFETs पर अधिक जानकारी के लिए निम्न लिंक का अनुसरण करें।
MOSFETs

Toshiba के उपाय प्रस्ताव पर अधिक जानकारी के लिए निम्न लिंकों का अनुसरण करें।

एप्लिकेशन
Servers
Uninterruptible Power Supply
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* कंपनियों के नाम, उत्पादों के नाम, और सेवाओं के नाम उनकी सम्बंधित कंपनियों के ट्रेडमार्क हो सकते हैं।
* उत्पादों के मूल्यों और विशिष्टताओं, सेवाओं के विवरण और सम्पर्क जानकारियों सहित इस दस्तावेज़ में प्रस्तुत जानकारियां उनकी घोषणा की तिथि के अनुकूल हैं परंतु बिना किसी पूर्व सूचना के ये बदली जा सकती हैं।

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation का परिचय

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, विकसित सेमीकंडक्टर और भंडारण उपायों का एक अग्रणी अपूर्तिकर्ता, को आधे शतक से अधिक का अनुभव है और यह अपने ग्राहकों और व्यवसाय भागीदारों को अपने नवाचारों के आधार पर उत्कृष्ट डिसक्रिट सेमीकंडक्टर, सिस्टम LSI और HDD उत्पाद उपलब्ध करवाता है।
सम्पूर्ण विश्व में कंपनी के 21,500 कर्मचारी उत्पाद वैल्यु को अधिकतम करने की दृढ़ता साझा करते हैं, और वैल्यु और नए बाज़ार के सह-निर्माण के लिए ग्राहकों के साथ घनिष्ठ सहयोग को बढ़ावा देते हैं। 800-बिलियन येन (US$6.1 बिलियन) के करीब वार्षिक बिक्री हासिल करते हुए, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation लोगों के लिए सर्वत्र बेहतर भविष्य के निर्माण और योगदान के लिए तत्पर है।
अधिक जानकारी के लिए यहाँ जाएं: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

तस्वीरें/मल्टीमीडिया गैलरी उपलब्ध: https://www.businesswire.com/news/home/53546551/en

घोषणा (अस्वीकरण): इस घोषणा की मूलस्रोत भाषा का यह आधिकारिक, अधिकृत रूपांतर है। अनुवाद सिर्फ सुविधा के लिए मुहैया कराए जाते हैं और उनका स्रोत भाषा के आलेख से संदर्भ लिया जा सकता है और यह आलेख का एकमात्र रूप है जिसका कानूनी प्रभाव हो सकता है।

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स्रोत: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

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