स्वायत्त ड्राइविंग सिस्टम जैसी सुरक्षा-प्रमुख अनुप्रयोगअनावश्यक डिज़ाइन के माध्यम से विश्वसनियता सुनिश्चित करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप वे अधिक उपकरणों को एकीकृत करते हैं और मानक प्रणालियों की तुलना में उन्हें अधिक माउंटिंग स्पेस की आवश्यकता होती है। तदनुसार, ऑटोमोटिव उपकरणों के आकार में कटौती के लिए उच्च करंट घनत्व पर स्थापित किए जा सकने वाले पॉवर MOSFETs की आवश्यकता होती है।
XPJR6604PB और XPJ1R004PB Toshiba के नए S-TOGL™ पैकेज (7.0mm×8.44mm[1]) का उपयोग करते हैं, जिसमें सोर्स कनेक्टिव पार्ट और बाहरी लीड को एकीकृत करने वाली पोस्ट-लेस संरचना होती है। सोर्स लीड के लिए एक मल्टी-पिन संरचना पैकेज प्रतिरोध को कम करती है।
S-TOGL™ पैकेज और Toshiba के U-MOS IX-H प्रोसेस का संयोजन Toshiba के TO-220SM (W) पैकेज उत्पाद[2] की तुलना में 11% की महत्वपूर्ण ऑन-रेसिस्टेंस कमी हासिल करता है परन्तु उसमें उसके समान जैसी थर्मल रेसिस्टेंस विशेषताएँ होती हैं। नया पैकेज TO-220SM(W) पैकेज के मुकाबले आवश्यक माउंटिंग स्पेस को लगभग 55% तक कम कर देता है। इसके अतिरिक्त, नए पैकेज की 200A की ड्रेन करंट रेटिंग Toshiba के समानआकार के DPAK + पैकेज (6.5mm×9.5mm[1]) से अधिक होती है, जिससे अधिक करंट का प्रवाह होता है। कुल मिला कर, S-TOGL™ पैकेज उच्च-घनत्व और सघन लेआउट प्रदान करता है, ऑटोमोटिव उपकरण के आकार को कम करता है, और उच्च ताप अपव्यय में सहायता करता है।
ऑटोमोटिव उपकरण का उपयोग अत्यधिक तापमान वाले वातावरणों में होने के कारण सतह पर लगे सोल्डर जोड़ों की विश्वसनियता अत्यंत महतव्पूर्ण हो जाती है। S-TOGL™ पैकेज में gull-wing लीडों का उपयोग किया जाता है, जिससे सोल्डर जोड़ोंकी विश्वसनियता बढ़ती है।
यह मानते हुए कि उच्च-करंट संचालन की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए कई उपकरण समानांतर में जुड़े होंगे, नए उत्पादों के लिए Toshiba द्वारा ग्रुपिंग शिपमेंट[3] का उपयोग किया जाता है , जिसमें ग्रुपिंग के लिए गेट थ्रेशोल्ड वॉल्टेज का प्रयोग होता है। यह छोटी विशेषता भिन्नता वाले उत्पाद समूहों का उपयोग करके डिज़ाइन की अनुमति देता है।
Toshiba अपने पॉवर सेमी-कंडक्टर उत्पादों की उत्पाद-शृंखला में विस्तार और अधिक सुविधाजनक, उच्च-प्रदर्शन पॉवर उपकरणों के साथ कार्बन तटस्थता प्राप्त करने में सहयोग करती रहेगी।
उपयोग
· ऑटोमोटिव उपकरण : इनवर्टर, सेमी-कंडक्टर रिले, लोड स्विच, मोटर उपकरण, इत्यादि
विशेषताएँ
· नया S-TOGL™ पैकेज : 7.0mm×8.44mm (typ.)
· बड़ी ड्रेन करंट रेटिंग :
XPJ1R004PB: ID=160A
· IATF 16949/PPAP उपलब्ध[4]
· कम ऑन-रेसिस्टेंस :
XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ (typ.) (VGS=10V)
[1] लीड्स सहित पैकेज का विशिष्ट आकार।
[2] TO-220SM (W) में स्थापित TKR74F04PB पैकेज।
[3] Toshiba ग्रुपिंग शिपमेंट प्रदान कर सकता है, जिसमें प्रत्येक रील के लिए गेट थ्रेशोल्ड वॉल्टेज रेंज 0.4V होती है। ऐसा होने पर भी, किसी विशिष्ठ ग्रुप का उल्लेख करना संभव नहीं है। अधिक जानकारी के लिए कृपया Toshiba के बिक्री प्रतिनिधि से संपर्क करें।
[4] अधिक विवरणों के लिए कृपया Toshiba के बिक्री प्रतिनिधि से संपर्क करें।
मुख्य विशिष्टताएँ
| नए उत्पाद | Current Products | ||||||
| पार्ट संख्या | XPJR6604PB | XPJ1R004PB | TKR74F04PB | TK1R4S04PB | |||
| पोलारिटी | N-channel | ||||||
| शृंखला | U-MOS IX-H | ||||||
| पैकेज | नाम | S-TOGL™ | TO-220SM(W) | DPAK+ | |||
| आकर (mm) | typ. | 7.0×8.44, t=2.3 | 10.0×13.0, t=3.5 | 6.5×9.5, t=2.3 | |||
| पूर्ण अधिकतम रेटिंग्स | ड्रेन-सोर्स वॉल्टेज VDSS (V) | 40 | |||||
| ड्रेन करंट (DC) ID (A) | 200 | 160 | 250 | 120 | |||
| ड्रेन करंट (pulsed) IDP (A) | 600 | 480 | 750 | 240 | |||
| चैनल तापमान Tch (°C) | 175 | ||||||
| विद्युत विशेषताएँ | ड्रेन –सौर्स ऑन-रेसिस्टेंस RDS(ON) (mΩ) |
VGS=10V | max | 0.66 | 1.0 | 0.74 | 1.35 |
| चैनल-से-केस थर्मल प्रतिबाधा Zth(ch-c) (°C/W) |
Tc=25°C | max | 0.4 | 0.67 | 0.4 | 0.83 | |
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Automotive MOSFETs
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* उत्पाद मूल्यों और विशिष्टताओं, सेवाओं के विवरण और संपर्क जानकारी सहित इस दस्तावेज़ में प्रस्तुत जानकारियाँ उनकी घोषणा की तिथि पर आधारित है परंतु ये बिना किसी पूर्व सूचना के बदली जा सकती हैं।
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation का परिचय
उन्नतसेमी-कंडक्टर और स्टोरेज उपायों में एक प्रमुख आपूर्तिकर्ता, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, अपने ग्राहकों और व्यवसाय में साझेदारों को आधी सदी से अधिक अनुभव और नवाचार के आधार पर उत्कृष्ट सततसेमी-कंडक्टर, सिस्टम LSI और HDD उत्पाद प्रस्तुत करता है।
पूरे विश्व में कंपनी के 21,500 कर्मचारी उत्पाद मूल्य को अधिकतम करने, और महत्व व नए बाजारों के सह-निर्माण में ग्राहकों के साथ घनिष्ठ सहयोग को बढ़ावा देने के लिए एक दृढ़-संकल्प साझा करते हैं। 800-बिलियन येन (US$6.1 बिलियन) की वार्षिक बिक्री हासिल करते हुए, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation सर्वत्र लोगों के लिए बेहतर भविष्य बनाने और उसमें योगदान देने के लिए तत्पर है।
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